Pat
J-GLOBAL ID:200903085965987011
半導体装置および半導体装置の製造方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001349875
Publication number (International publication number):2003152077
Application date: Nov. 15, 2001
Publication date: May. 23, 2003
Summary:
【要約】【課題】 配線と接続部との間の接触抵抗を低減し、エレクトロマイグレーション特性を向上させる。【解決手段】 その表面に、配線を構成する銅の拡散等を防止するためのタングステン膜CM1が形成された第1層配線上の絶縁膜(24a、24b、24c、26b、26c)をエッチングすることによりコンタクトホールC2および配線溝HM2を形成する際、コンタクトホールC2底部のタングステン膜CM1を除去し、バリア膜PM2aを形成した後、コンタクトホールC2底部のバリア膜PM2aを除去し、銅膜(PM2b、PM2c)を形成した後、その表面を研磨することにより第2層配線M2およびその下層のプラグP2を形成する。また、タングステン膜CM1又はバリア膜PM2aの少なくとも一方を除去するか、それらを不連続な膜で構成する。その結果、第1層配線M1とプラグP2との間の接触抵抗を低減できる。
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成され、かつ、配線溝を有する第1層間絶縁膜と;前記配線溝の側壁と底面に形成された第1バリアメタル層と、前記配線溝を埋め込むように前記第1バリアメタル層上に形成された第1導電体層と、前記第1導電体層の表面に形成されたキャップバリアメタル膜とを有する配線部と;前記第1層間絶縁膜上に形成され、かつ、接続孔を有する第2層間絶縁膜と;前記接続孔の側壁と底面に形成された第2バリアメタル層と、前記接続孔を埋め込むように前記第2バリアメタル層上に形成された第2導電体層とを有する接続部と;を有する半導体装置において、前記接続部と前記配線部の接続部分において、前記接続孔の底面の前記第2バリアメタル層又は前記キャップバリアメタル膜の、少なくともどちらか一方が除去されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/90 A
, H01L 29/62 G
F-Term (98):
4M104AA09
, 4M104BB01
, 4M104BB14
, 4M104BB30
, 4M104BB40
, 4M104CC05
, 4M104DD16
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD65
, 4M104DD75
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, 4M104EE03
, 4M104EE05
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, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104FF13
, 5F033HH04
, 5F033HH08
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, 5F033HH32
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, 5F033MM02
, 5F033MM05
, 5F033MM08
, 5F033MM12
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, 5F033NN07
, 5F033PP03
, 5F033PP06
, 5F033PP07
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, 5F033PP21
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, 5F033PP27
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, 5F033QQ10
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, 5F033QQ25
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, 5F033QQ31
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, 5F033QQ48
, 5F033QQ73
, 5F033QQ76
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR11
, 5F033RR23
, 5F033RR25
, 5F033RR29
, 5F033SS04
, 5F033SS11
, 5F033SS22
, 5F033SS25
, 5F033TT02
, 5F033TT04
, 5F033TT08
, 5F033VV06
, 5F033XX02
, 5F033XX05
, 5F033XX06
, 5F033XX09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-125758
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-122289
Applicant:三菱電機株式会社
-
集積回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-372480
Applicant:富士通株式会社
-
多層配線構造およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-281802
Applicant:川崎製鉄株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-010852
Applicant:日本電信電話株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-172447
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-329265
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-026446
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置および製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-147722
Applicant:日本電気株式会社
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