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J-GLOBAL ID：200903049387571404

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor：
小林 知洋

About 小林 知洋

, 
畠山 潤

About 畠山 潤

, 
原田 裕次

About 原田 裕次


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007086625
Publication number (International publication number)：2008239918
Application date： Mar. 29, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：
【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が変化するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてカルボン酸アンモニウム塩を有する繰り返し単位と少なくとも1個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明は、パターンの矩形性とマスク忠実性の優れるレジスト材料を提供することができる。また、本発明のレジスト材料を用いて形成したフォトレジスト膜は、レジスト膜表面を親水性化することによって、現像後レジスト膜上のブロッブ欠陥の発生を防止できる。また、液浸露光用のレジスト保護膜とのミキシングを防止することによってパターン形状の劣化を防ぐことができる。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
酸によってアルカリ溶解性が変化するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてカルボン酸アンモニウム塩を有する繰り返し単位と少なくとも1個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (4)：
C08F 220/22 ,  G03F 7/039 ,  C08F 220/34 ,  H01L 21/027
FI (4)：
C08F220/22 ,  G03F7/039 601 ,  C08F220/34 ,  H01L21/30 502R
F-Term (36)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BA11R ,  4J100BA18Q ,  4J100BA32Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB12P ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC12R ,  4J100BC43Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R ,  4J100BC58R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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