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J-GLOBAL ID：200903049516304256

電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
アルベルト オー.アダン

About アルベルト オー.アダン


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004184182
Publication number (International publication number)：2006012924
Application date： Jun. 22, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：
【課題】 高集積度化でき、電気射特性を維持しながら、低コスト化できる電界効果トランジスタおよびその製造方法を実現する。【解決手段】 シリコン基板1上に、フィン形状に突出して形成されたフィン部3、5を設ける。フィン部3、5のチャネル領域部を被覆したゲート誘電体8を設ける。ゲート誘電体8によってチャネル領域部から絶縁されて、上記チャネル領域部上に形成されたゲート電極4を設ける。シリコン基板1上を覆う絶縁体層2を設ける。フィン部3、5は、シリコン基板1から絶縁体層2を貫通して絶縁体層2の表面より突出して延びるように形成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、フィン形状に突出して形成されたフィン部を有する、金属-絶縁体-半導体の電界効果トランジスタであって、 前記フィン部に、チャネル領域部と、チャネル領域部を挟んでそれぞれ形成されたソース領域部およびドレイン領域部と、 上記フィン部のチャネル領域部を被覆したゲート誘電体薄膜と、 上記ゲート誘電体薄膜によってチャネル領域部から絶縁されて、上記チャネル領域部上に形成されたゲート電極と、 上記半導体基板上を覆う絶縁体層とを含み、 上記フィン部は、上記半導体基板から上記絶縁体層を貫通して上記絶縁体層の表面より突出して延びるように形成されている、ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (1)：
H01L 29/78
FI (2)：
H01L29/78 301H ,  H01L29/78 301X
F-Term (21)：
5F140AA12 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BB05 ,  5F140BC06 ,  5F140BC13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BH49 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-297672   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-224740   Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (5)
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