面発光半導体デバイスの製造方法、この方法によって製造された面発光半導体デバイス及びこのデバイスを用いた表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998229383
Publication number (International publication number)：1999154774
Application date： Jul. 30, 1998
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】面発光半導体デバイスを簡単に、高い歩留まりで製造する方法である。【解決手段】面発光半導体デバイスの製造方法において、半導体から成る第1の基板上に、電流が供給されることによって発光する半導体活性層3を含む半導体層1〜5をエピタキシャル成長させ、半導体活性層3に電流を供給するための電極7、8を形成し、半導体層が形成された第1の基板を、第2の基板12に、半導体層が内側となるように貼り合せ、貼り合わされた基板から、第2の基板12上に半導体層を残して第1の基板を除去する。

Claim (excerpt)：

面発光半導体デバイスの製造方法であって、半導体から成る第1の基板上に、電流が供給されることによって発光する半導体活性層を含む半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、前記半導体活性層に電流を供給するための電極を形成する工程と、前記半導体層が形成された第1の基板を、第2の基板に、半導体層が内側となるように貼り合せる工程と、貼り合わされた基板から、第2の基板上に半導体層を残して第1の基板を除去する工程を有することを特徴とする面発光半導体デバイスの製造方法。

IPC (4)：

H01S 3/18 , G09F 9/33 , H01L 27/12 , H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 , G09F 9/33 D , H01L 27/12 B , H01L 33/00 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-070305 Applicant：株式会社日立製作所
半導体受発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-004552 Applicant：松下電器産業株式会社
画像装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-249718 Applicant：京セラ株式会社

Show all

Return to Previous Page