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J-GLOBAL ID：200903049770875743

p型及びn型電気伝導性の半導体窒素化合物A▲下3▼B▲下5▼の製造方法

Inventor： ポロフスキ,シルヴェステル ,  ユン,ヤン ,  ススキ,タデウシュ ,  スキエルビスゼフスキ,チェスワフ ,  レシュチュンスキ,ミハウ ,  グジェゴシ,イザベラ ,  テイッセル,ヘンルィク ,  バラノフスキ,ヤツェク ,  リトヴィン-スタスゼフスカ,エルジュビエタ
Applicant, Patent owner： ツェントルム バダニ ヴィソコチシニエニオヴィフ ポルスキエイ アカデミイ ナウク
Agent (1)： 武石 靖彦 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999502188
Publication number (International publication number)：2002503394
Application date： Jun. 03, 1998
Publication date： Jan. 29, 2002
Summary：

【要約】本発明の主題は、GaN、AlN、IlN又はそれらの固溶体からなる窒化物半導体A3B5の製造方法であって、p型又はn型伝導性と強い発光強度及び高い構造品質を有するものの製造方法である。この方法によって得られる半導体は、例えば、高効率青色及び緑色発光ダイオード、レーザダイオード及び大電力レーザ、紫外線検出器及び高フィールドトランジスターなどのような発光装置、光検出器及び電流増幅器の構成に適用される。本発明による方法は、窒化物半導体A3B5のホモエピタキシャル層又はヘテテエピタキシャル層を、前処理後の導電性基板上、又は絶縁性基板上に被着形成し、その後で、このように形成された構造を、圧力1000〜20000バールとした1成分又は他成分ガスを満たした高圧拡散チャンバ内に配置し、さらに、外部供給源及び/又は内部供給源から得られるドーパントの存在下において、所定時間温度1000〜1800°Cにおいてアニール処理するものである。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体A3B5のホモエピタキシャル層又はヘテロエピタキシャル層 が、前処理後の導電性基板上又は絶縁性基板上に被着形成され、そのように調 製された構造を、その後、1000〜20000バールの圧力まで圧縮された 単成分又は多成分ガスで満たした高圧拡散チャンバ内に配置し、さらに、外部 供給源及び/又は内部供給源から得られるドーパントの存在下において、所定 温度100〜1800°Cの温度でアニール処理することを特徴とするp型及び n型電気伝導性を有するGaN等の窒化物半導体A3B5の製造方法

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/265 601 ,  H01S 5/323

FI (5)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/225 M ,  H01L 21/265 601 A ,  H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 3-5族化合物半導体及び発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-218861   Applicant：住友化学工業株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-357046   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-070882   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-248175   Applicant：株式会社東芝
• p型III族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-135406   Applicant：ソニー株式会社