窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005222312
Publication number (International publication number)：2005354101
Application date： Aug. 01, 2005
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

【課題】窒化ガリウム系へテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、バリアーの構造を改善し、ゲート電流を低減して、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図る。【解決手段】 GaN系ヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、ヘテロ接合に接するバリアーを薄いAlN層とGaN層からなる多層構造とする。この電界効果型トランジスタの構造では、GaN層とバリアーからなるヘテロ接合界面をチャンネルとし、チャンネルに接するバリアーが薄いAlN層とGaN層からなる多層構造とする。これにより、ゲートリーク電流を低減し、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタであって、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分が限界膜厚以下の厚さの窒化アルミニウム層と限界膜厚以下の厚さの窒化ガリウム層とを相互に重ねた多層構造であり、前記多層構造における窒化ガリウム層の厚さは量子順位が形成されない薄さであることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (22)：

5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM08 , 5F102GM09 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GR07 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開昭59-063769
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-088973 Applicant：日本電気株式会社
半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-248484 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

特開昭59-063769
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-088973 Applicant：日本電気株式会社
半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-248484 Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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