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J-GLOBAL ID：200903049840623976

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 山田 雅基 ,  柴田 英毅
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999066298
Publication number (International publication number)：2000260864
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 配線間容量を低減することができ、しかも機械的強度に優れた半導体装置を得る。【解決手段】 同一配線層に形成された配線108間に、空洞領域110と絶縁膜からなる領域105とが設けられている。

Claim (excerpt)：

同一配線層に形成された配線間に、空洞領域と絶縁膜からなる領域とが設けられていることを特徴とする半導体装置。

F-Term (22)：

5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033MM01 ,  5F033PP18 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F033XX27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-336695   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-193127   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-229278   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-189539   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-157854   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭64-024444
  
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-167386   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-172031   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭61-042997
  
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-354304   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-005396   Applicant：日本電気株式会社