半導体ウエーハのエッチング方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：志波邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996097762
Publication number (International publication number)：1997266193
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】アルカリエッチング中におけるアルカリ濃度を精度よく管理し、アルカリ水溶液を繰り返し使用する場合においても、エッチング加工後の半導体ウエーハの表面粗さ、輝度を変化させることなく、平坦な半導体ウエーハを得る。【解決手段】実際のエッチング工程に先立ち、エッチングに用いるアルカリ水溶液と同等のアルカリ水溶液を用意し、該アルカリ水溶液を実際のエッチング時と同じ温度に加温し、該アルカリ水溶液から蒸発する水分量の経時変化を測定した後、複数枚の半導体ウエーハを同等のアルカリ水溶液に浸漬し、前記測定結果で得られた蒸発水分量の経時変化に対応する水分を前記アルカリ水溶液に経時的に補給しながら半導体ウエーハをエッチングする。

Claim (excerpt)：

複数枚の半導体ウエーハをアルカリ水溶液に浸漬してエッチングする方法において、実際のエッチング工程に先立ち、エッチングに用いるアルカリ水溶液と同等のアルカリ水溶液を用意し、該アルカリ水溶液を実際のエッチング時と同じ温度に加温し、エッチング槽に充填し、該アルカリ水溶液から蒸発する水分量の経時変化を測定した後、複数枚の半導体ウエーハを該エッチング槽において前記蒸発する水分量の経時変化を測定したアルカリ水溶液と同等のアルカリ水溶液に浸漬し、前記測定結果で得られた蒸発水分量の経時変化に対応する水分を前記アルカリ水溶液に経時的に補給して前記アルカリ水溶液のアルカリ濃度がほぼ一定に保たれた状態で前記半導体ウエーハのエッチングを行うことを特徴とする半導体ウエーハのエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/306 , C23F 1/08 101 , C23F 1/08 102 , C23F 1/32 , C23F 1/46

FI (5)：

H01L 21/306 A , C23F 1/08 101 , C23F 1/08 102 , C23F 1/32 , C23F 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

特開昭60-223131
シリコン基板のエッチング方法およびエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-054627 Applicant：株式会社村田製作所
X線マスク用バックエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-277794 Applicant：沖電気工業株式会社

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Cited by examiner (13)

特開平2-137228
シリコン基板のエッチング方法およびエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-054627 Applicant：株式会社村田製作所
特開平2-159029

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