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J-GLOBAL ID：200903050199875461

ウェハ乾燥装置及び方法

Inventor：
毛戸 豊

About 毛戸 豊

, 
竹村 禎男

About 竹村 禎男

, 
松田 進

About 松田 進


Applicant, Patent owner：
東邦化成株式会社

About 東邦化成株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999331255
Publication number (International publication number)：2000223466
Application date： Nov. 22, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ウェハの乾燥時間を短縮することができ、乾燥効率を高めることができるウェハ乾燥装置及び方法を提供する【解決手段】 ウェハ2が浸漬された乾燥室の純水の液面上の空間4に窒素ガスを噴射させると同時に液相イソプロピルアルコールをウェハの温度より高い温度でかつ窒素ガス噴射開口近傍で噴射させてミスト状のIPAを空間に噴霧させ、乾燥室で純水からウェハが液面より露出するとき、ウェハ表裏両面に付着した純水がミスト状のイソプロピルアルコールにより置換され、蒸発することにより乾燥される。
Claim (excerpt)：
純水(40)内にウェハ(2)を浸漬可能な乾燥室(1)と、上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間(4)内に窒素ガスを噴射させると同時に液相のイソプロピルアルコールを上記ウェハの温度より高い温度でかつ上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させるミスト噴霧装置(3,23)とを備えて、上記乾燥室の上記純水を排出するか又は上記ウェハを上記乾燥室内で上昇させることにより、上記乾燥室内で上記純水から上記ウェハが液面より上方に露出するとき、上記ウェハの表裏両面に付着した純水が上記ミスト状の上記イソプロピルアルコールにより置換され、その後、上記ウェハの表裏両面から上記イソプロピルアルコールが蒸発することにより乾燥されるようにしたことを特徴とするウェハ乾燥装置。
IPC (5)：
H01L 21/304 651 ,  B05B 7/02 ,  F26B 5/16 ,  F26B 13/24 ,  F26B 7/00
FI (5)：
H01L 21/304 651 H ,  B05B 7/02 ,  F26B 5/16 ,  F26B 13/24 ,  F26B 7/00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (3)

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