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J-GLOBAL ID：200903050668943023
空気層を含む反射膜を用いたレーザーダイオード及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002148028
Publication number (International publication number)：2003031899
Application date： May. 22, 2002
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 空気を反射膜として使用して共振するレーザーに対する反射率の差を高めたレーザーダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板31と、前記基板上に形成されたレーザー発振層32と、前記レーザー発振層上に形成された上部電極と、前記レーザー発振層の一側端面に形成された反射膜35とを含むレーザーダイオードにおいて、前記反射膜は空気層33を含むことを特徴とするレーザーダイオードを提供し、反射膜の積層数を減少させつつレーザーダイオードのスレショルド電圧を低め、高出力レーザーを実現できる。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成されたレーザー発振層と、前記レーザー発振層上に形成された上部電極と、前記レーザー発振層の一側端面に形成された反射膜とを含むレーザーダイオードにおいて、前記反射膜は空気層を含むことを特徴とするレーザーダイオード。
F-Term (6)：
5F073AA85
, 5F073BA04
, 5F073CB20
, 5F073DA33
, 5F073EA23
, 5F073EA24
Cited by examiner (5)
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III-V族化合物面発光レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-210126
Applicant：三星電子株式会社
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特開昭61-150291
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半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-285304
Applicant：沖電気工業株式会社
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特開平3-283691
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分布反射型半導体レーザアレイとその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-314452
Applicant：古河電気工業株式会社
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