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J-GLOBAL ID：200903050809064320

量子井戸構造およびそれを用いた半導体素子ならびに半導体素子の製造方法

Inventor：
風田川 統之

About 風田川 統之


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002024685
Publication number (International publication number)：2003229645
Application date： Jan. 31, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：
【要約】【課題】 活性層の結晶性を良好に維持しつつピエゾ電界の影響を充分に排除し、これにより、発光効率に優れた半導体素子を提供する。【解決手段】量子井戸活性層の構造を、障壁層アンドープ領域(In0.02Ga0.98N層702)、井戸層(アンドープIn0.2Ga0.8N層703)および障壁層n型領域(n型In0.02Ga0.98N層701)がこの順で形成された積層構造とする。障壁層n型領域のSi濃度を5×1018cm-3以下とする。
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体からなる井戸層および障壁層が、[x,y,-(x+y),z](x、yは任意の整数であり、zは自然数)で表される結晶軸方向に交互に積層してなる量子井戸構造であって、前記障壁層は、n型不純物のドープされたn型領域とアンドープ領域とを含み、前記n型領域の不純物濃度が5×1018cm-3以下であり、前記アンドープ領域上に前記井戸層が形成され、該井戸層上に前記n型領域が形成されたことを特徴とする量子井戸構造。
IPC (3)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (36)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045BB05 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB14 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA11 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082510   Applicant：三洋電機株式会社
  • 窒化物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-135288   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 窒化物系半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-021333   Applicant：株式会社東芝
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