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J-GLOBAL ID：200903021389371346

窒化物半導体素子

Inventor： 向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998300615
Publication number (International publication number)：2000133883
Application date： Oct. 22, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 発光出力を低下させることなく、光電変換効率を高めることができる窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層6を有し、前記井戸層がアンドープであり、前記障壁層の単一膜厚が70〜500オングストロームを有し、更に障壁層にn型不純物が5×1016〜1×1019/cm3ドープされている。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記井戸層がアンドープであり、前記障壁層の単一膜厚が70〜500オングストロームを有し更に障壁層にn型不純物が5×1016〜1×1019/cm3ドープされていることを特徴とする窒化物半導体素子。

F-Term (6)：

5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB17 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化物半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-290218   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 発光素子用3-5族化合物半導体及び発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-280232   Applicant：住友化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-015228   Applicant：住友化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213280   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-013440   Applicant：三菱電線工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• High-temperature stimulated emission in optically pumped InGaN/GaN multiquantum wells