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J-GLOBAL ID：200903050882519506

プラズマ処理装置

Inventor：
河西 繁

About 河西 繁

, 
長田 勇輝

About 長田 勇輝

, 
荻野 貴史

About 荻野 貴史


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002293529
Publication number (International publication number)：2004128385
Application date： Oct. 07, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：
【課題】伝送損失の少ないマイクロ波発振器を備えたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマエッチング装置1は、ウエハWを収容するチャンバ11と、チャンバ11内に処理ガスを供給するガス供給装置27と、チャンバ11内にプラズマ生成用のマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置50を具備し、マイクロ波導入装置50は、マイクロ波発振器30と、アンテナ13a〜13dからなるアンテナ部13とを有する。マイクロ波発振器30は所定電力のマイクロ波を出力する4つアンプ部33を有し、各アンプ部33から各アンテナ13a〜13dに所定電力のマイクロ波が伝送される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被処理基板を収容するチャンバと、 前記チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給装置と、 前記チャンバ内にプラズマ生成用のマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置と、 を具備し、 前記マイクロ波導入装置は、 複数の所定出力のマイクロ波を出力するマイクロ波発振器と、 前記マイクロ波発振器から発振された複数のマイクロ波のそれぞれが伝送されるアンテナを複数有するアンテナ部と、 を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H01L21/3065 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46
FI (6)：
H01L21/302 101D ,  B01J19/08 H ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 C ,  H05H1/46 B ,  H05H1/46 R
F-Term (21)：
4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4K030DA04 ,  4K030FA02 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB34 ,  5F045BB08 ,  5F045EH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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