パワー半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001021939
Publication number (International publication number)：2002231820
Application date： Jan. 30, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】オン抵抗が低くノーマリーオフ動作することができるパワー半導体装置を提供すること。【解決手段】ノーマリーオン型でSiCからなるJFET20上にノーマリーオフ型でSiからなるMOSFET40を形成し、パワー半導体装置100全体でノーマリーオフ動作しJFET20部分が耐圧のほとんどを確保できるようにJFET20とMOSFET40とを電気的に接続した。こうすると、SiCからなるJFET20で高耐圧化が可能となるので、Siのみからなる同耐圧のパワー半導体装置と比較して全体としてオン抵抗を低くすることができると共に全体としてノーマリーオフ動作するので回路システム全体としての低消費電力化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

外部からの制御電圧に応じてオンオフするノーマリーオフ型の第1のゲート型半導体素子によりノーマリーオン型の第2のゲート型半導体素子のオンオフを制御してスイッチング動作を行なうパワー半導体装置であって、前記第2のゲート型半導体素子は、炭化珪素の半導体基板に形成され炭化珪素からなり、前記第1のゲート型半導体素子は、前記半導体基板に形成され炭化珪素と異なる材料からなることを特徴とするパワー半導体装置。

IPC (11)：

H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 27/00 301 , H01L 27/088 , H01L 29/786 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 656 , H01L 27/095 , H01L 29/80 , H01L 29/861

FI (11)：

H01L 27/00 301 A , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 656 C , H01L 27/06 102 A , H01L 27/08 102 E , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/80 E , H01L 29/80 V , H01L 29/91 D , H01L 29/91 L

F-Term (28)：

5F048AA05 , 5F048AB04 , 5F048AC00 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA03 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA19 , 5F048BB19 , 5F048BC12 , 5F048BD07 , 5F048CB01 , 5F102FA01 , 5F102GA01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GC09 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GR01 , 5F110AA11 , 5F110BB11 , 5F110BB12 , 5F110DD01 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110GG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

高阻止電圧用で順方向損失の少ない、特に電流を開閉する電子デバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-532164 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
高電圧デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022856 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-001781 Applicant：富士電機株式会社

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