高周波放電装置及び高周波処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴江武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998034915
Publication number (International publication number)：1999233289
Application date： Feb. 17, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、プラズマ放電の安定化とアンテナによるスパッタの抑制とを両立させるためにアンテナとプラズマとの静電的結合を最適に制御する。【解決手段】ループ状のアンテナ8の接地側にフローティングコンデンサ10を接続し、このフローティングコンデンサ10の容量Cf を変化させてアンテナ8上での高周波電圧分布を変化させ、このアンテナ8とプラズマとの静電的結合を制御する。

Claim (excerpt)：

少くとも1つのループ状のアンテナに高周波電力を供給して容器内に誘導電界を発生させることによりプラズマを生成する高周波放電装置において、1つの前記アンテナの接地側又は複数の前記アンテナ間にそれぞれ介装されたコンデンサ、を具備したことを特徴とする高周波放電装置。

IPC (5)：

H05H 1/24 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5)：

H05H 1/24 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

プラズマCVD装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-288117 Applicant：アネルバ株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-069137 Applicant：国際電気株式会社
プラズマ処理用高周波誘導プラズマ源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-210340 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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