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J-GLOBAL ID:200903051672118807

集積回路の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡部 正夫 (外10名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001584473
Publication number (International publication number):2003533880
Application date: May. 15, 2001
Publication date: Nov. 11, 2003
Summary:
【要約】本発明は、集積回路の処理中少なくとも部分的に金属酸化物の状態にある少なくとも1層の金属単体層を含む集積回路の製造方法に関し、集積回路の製造中に形成された金属酸化物層を還元するための特定の官能基を有する有機化合物の使用に関する。本方法によれば、金属酸化物層は、アルコール(-OH)、アルデヒド(-CHO)およびカルボン酸(-COOH)各官能基の1種以上を含む有機化合物から選択される還元剤を用いて少なくとも部分的に金属単体に還元される。
Claim (excerpt):
集積回路の処理中少なくとも部分的に金属酸化物の状態にある少なくとも1層の金属単体層を含む集積回路の製造方法であって、該金属酸化物層を、アルコール(-OH)、アルデヒド(-CHO)、およびカルボン酸(-COOH)の各官能基の1種以上を含む有機化合物から選択された1種以上の化合物からなる気体状還元剤を用いて少なくとも部分的に金属単体にすることを特徴とする方法。
IPC (3):
H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (3):
H01L 21/285 Z ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 A
F-Term (65):
4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD31 ,  4M104DD75 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG19 ,  5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP35 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV10 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX01 ,  5F033XX10 ,  5F033XX28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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