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J-GLOBAL ID：200903051709477748

近接場光マスク、これを用いた近接場露光装置、これを用いたドットパターン作製方法、及び、これらを用いて作製したデバイス

Inventor：
黒田 亮

About 黒田 亮

, 
水谷 夏彦

About 水谷 夏彦


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (2)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002261502
Publication number (International publication number)：2004103718
Application date： Sep. 06, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：
【課題】近接場光マスクを用いて微細なサイズのドットパターンを形成するために開口部のサイズを小さくすると、開口から発生する近接場光の強度が減少するという課題を解決する。【解決手段】遮光膜と遮光膜に設けた開口とを有し,開口から発生する近接場光で被露光物を露光する近接場光マスクであって、該遮光膜に設けた開口が、100nmより小さい幅を有する少なくとも2本以上の平行な第1のスリット開口列と、100nmより小さい幅を有し、かつ、該第1のスリット開口列間を結び、第1のスリット開口列に垂直な第2のスリット開口とからなることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
遮光膜と遮光膜に設けた開口とを有し,開口から発生する近接場光で被露光物を露光する近接場光マスクであって、該遮光膜に設けた開口が、100nmより小さい幅を有する少なくとも2本以上の平行な第1のスリット開口列と、100nmより小さい幅を有し、かつ、該第1のスリット開口列間を結び、第1のスリット開口列に垂直な第2のスリット開口とからなることを特徴とする近接場光マスク。
IPC (4)：
H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20
FI (5)：
H01L21/30 502D ,  B82B3/00 ,  G03F1/16 E ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P
F-Term (9)：
2H095BA03 ,  2H095BB10 ,  2H095BB28 ,  2H095BB36 ,  2H095BC26 ,  5F046AA25 ,  5F046BA02 ,  5F046BA10 ,  5F046CB17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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