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J-GLOBAL ID：200903051727978975

フィールド・エミッタ

Inventor： ジスーン・イーム
Applicant, Patent owner： ジスーン・イーム
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001190659
Publication number (International publication number)：2002203471
Application date： Jun. 25, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 フィールド・エミッション表示装置の動作を改良することが出来るカーボンナノチューブを基礎としたフィールド・エミッタを提供すること。【解決手段】 カーボンナノチューブ10は、高硬度の半導体層又は絶縁体層12によって被覆される。この半導体層又は絶縁体層12は、n型にドープされ、数ナノメートル(nm)以内の厚さで、外部原子又は粒子(通常、陽イオン)からの衝突に対して良好な安定性を有する。BN、GaN、Si3N4、TiC、B4C等を含むB、C、Nの化合物の一種、TiO2、Al2O3、MgO等を含む酸化物の数種及び、SrTiO3等を含む強誘電体の幾つかが使用でき、またダイヤモンド状炭素(DLC)又はダイヤモンド粒子も使用可能である。

Claim (excerpt)：

電子衝撃加熱蒸着法を使用してカーボンナノチューブ上に半導体又は絶縁体を蒸着し、該カーボンナノチューブ上に半導体層又は絶縁体層を堆積して形成されることを特徴とする、フィールド・エミッタ。

IPC (2)：

H01J 1/304 ,  H04N 5/68

FI (2)：

H04N 5/68 B ,  H01J 1/30 F

F-Term (2)：

5C058AA01 ,  5C058BA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 電子放出陰極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-207625   Applicant：平木昭夫, ビー.エス.サティアナラヤーナ
• 電子放出素子及びそれを用いた画像形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-090628   Applicant：キヤノン株式会社
• サージ吸収素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-132728   Applicant：岡谷電機産業株式会社
• 電界放出型冷陰極及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-289538   Applicant：株式会社東芝
• 電子放出素子及びこれを用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-171003   Applicant：パイオニア株式会社
• 冷陰極電界電子放出素子、冷陰極電界電子放出型表示装置、及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-200221   Applicant：ソニー株式会社