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J-GLOBAL ID：200903051912742481

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
佐藤 好弘

About 佐藤 好弘


Applicant, Patent owner：
パナソニック株式会社

About パナソニック株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007253260
Publication number (International publication number)：2009088069
Application date： Sep. 28, 2007
Publication date： Apr. 23, 2009
Summary：
【課題】n型MISトランジスタのソース・ドレイン形成領域及びp型MISトランジスタのソース・ドレイン形成領域の一方に、シリコン混晶層を精度良く形成する。【解決手段】第1のMISトランジスタは、第1のゲート電極14aの側面上に形成され断面形状がL字状の第1の内側サイドウォール18aと第1の外側サイドウォール19aとからなる第1のサイドウォール19Aとを備え、第2のMISトランジスタは、第2のゲート電極14bの側面上に形成され断面形状がL字状の第2の内側サイドウォール18bと第2の外側サイドウォール19bとからなる第2のサイドウォール19Bと、第2の活性領域におけるソース・ドレイン形成領域に設けられたトレンチ21内に形成され、第2の活性領域におけるチャネル領域に第1の応力を生じさせるシリコン混晶層22とを備え、第2の内側サイドウォールの上端高さは、第1の内側サイドウォールの上端高さよりも低い。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
第1のMISトランジスタと第2のMISトランジスタとを備えた半導体装置において、 前記第1のMISトランジスタは、 半導体基板における素子分離領域に囲まれた第1の活性領域と、 前記第1の活性領域上に形成された第1のゲート絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、 前記第1のゲート電極の側面上に形成され、断面形状がL字状の第1の内側サイドウォールと該第1の内側サイドウォール上に形成された第1の外側サイドウォールとからなる第1のサイドウォールとを備え、 前記第2のMISトランジスタは、 前記半導体基板における前記素子分離領域に囲まれた第2の活性領域と、 前記第2の活性領域上に形成された第2のゲート絶縁膜と、 前記第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極と、 前記第2のゲート電極の側面上に形成され、断面形状がL字状の第2の内側サイドウォールと該第2の内側サイドウォール上に形成された第2の外側サイドウォールとからなる第2のサイドウォールと、 前記第2の活性領域における前記第2のサイドウォールの外側方下の領域に設けられたトレンチと、 前記トレンチ内に形成され、前記第2の活性領域におけるチャネル領域のゲート長方向に第1の応力を生じさせるシリコン混晶層とを備え、 前記第2の内側サイドウォールにおける上端の高さは、前記第1の内側サイドウォールにおける上端の高さよりも低いことを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/768
FI (8)：
H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 321C ,  H01L21/28 301D ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/90 C
F-Term (91)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD50 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033MM07 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03 ,  5F033XX19 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (8)
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