エッチング装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八木田茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995207222
Publication number (International publication number)：1997055368
Application date： Aug. 14, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】真空チャンバ内でプラズマを用いたエッチング現象を利用して基板をエッチングするエッチング装置において、エッチャントの消費を抑え大口径基板上で高均一かつ高速エッチングをが可能にすること。【解決手段】円筒形の石英で構成される真空チャンバ壁の内側に、プラズマ中で発生した高密度の反応性物質であるイオン及びラジカルの反応を防ぐアルミナ円筒体が設けられる。

Claim (excerpt)：

石英円筒体で構成される壁を備えた真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための同軸上に配列した三つの磁場発生コイルから成り、隣接コイルに互いに逆向きの電流を流すことにより環状磁気中性線の半径を調整すると同時に磁場ゼロの位置での磁場の勾配を調整するようにした磁場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバ内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための1重を含む多重の高周波コイルから成り、磁気中性線の近くに位置した磁場発生コイルの内側に配置されている電場発生手段とを有し、形成される磁気中性線の作る面と平行して離れた位置に直流あるいは高周波バイアスを印加するようにした基板電極を設けたエッチング装置において、円筒形の石英で構成される真空チャンバ壁の内側に、プラズマ中で発生した高密度の反応性物質であるイオン及びラジカルの反応を防ぐアルミナ円筒体を設けたことを特徴とするエッチング装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 G , H01L 21/31 C , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

放電プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-052418 Applicant：日本真空技術株式会社
プラズマ処理装置とこれを用いたプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-152278 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-363021

Show all

Return to Previous Page