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J-GLOBAL ID：200903052082685427

化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩

Inventor：
上谷 保則

About 上谷 保則

, 
井上 博貴

About 井上 博貴

, 
大橋 賢治

About 大橋 賢治


Applicant, Patent owner：
住友化学工業株式会社

About 住友化学工業株式会社


Agent (1)： 久保山 隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000060057
Publication number (International publication number)：2001192569
Application date： Mar. 06, 2000
Publication date： Jul. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】 感度や解像度、基板への接着性などの各種性能が良好で、基板依存性が小さく、塩基性基板や低反射率基板に適用した場合でも良好なプロファイルを与える化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂及び酸発生剤を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物であって、該酸発生剤として、下式(I)で示される塩と、(IIa)及び(IIb)(式中、Q1 はアルキル、Q2 はアルキル又は脂環式炭化水素残基、mは1〜8の整数、Q3 、Q4、Q5、Q6 及びQ7 は互いに独立に、水素、水酸基、炭素数1〜6のアルキル又はアルコキシ、p及びqは4〜8の整数である)で示される塩から選ばれる少なくとも1種の塩とを併用するか、又は式(I)中のmが4〜8であるスルホニウム塩を用いる。また、式(I)中のmが4〜8であるスルホニウム塩化合物も提供される。
Claim (excerpt)：
下式(I)(式中、Q1はアルキルを表し、Q2はアルキル又は脂環式炭化水素残基を表し、mは1〜8の整数を表す)で示される脂肪族スルホニウム塩と、下式(IIa)で示されるトリフェニルスルホニユム塩及び下式(IIb)で示されるジフェニルヨードニユム塩(式中、Q3 、Q4、Q5、Q6 及びQ7 は互いに独立に、水素、水酸基、炭素数1〜6のアルキル又は炭素数1〜6のアルコキシを表し、q及びpは4〜8の整数を表す)から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩とを含む酸発生剤並びに、酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。
IPC (11)：
C08L101/00 ,  C08K 5/375 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C08F 2/46 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F222/04 ,  C08F232/04
FI (11)：
C08L101/00 ,  C08K 5/375 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  C08F 2/46 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F222/04 ,  C08F232/04 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (79)：
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002EB106 ,  4J002ED076 ,  4J002EN027 ,  4J002EN067 ,  4J002EN097 ,  4J002EU017 ,  4J002EU047 ,  4J002EU117 ,  4J002EU137 ,  4J002EU237 ,  4J002EV256 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J011AA05 ,  4J011AC04 ,  4J011BB02 ,  4J011DA02 ,  4J011QA03 ,  4J011QA08 ,  4J011QA34 ,  4J011QA35 ,  4J011QA37 ,  4J011SA74 ,  4J011SA83 ,  4J011UA02 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01 ,  4J100AK31T ,  4J100AK32T ,  4J100AL03P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR11S ,  4J100BA02S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03S ,  4J100BA04P ,  4J100BA05P ,  4J100BA06P ,  4J100BA12P ,  4J100BA13S ,  4J100BA14P ,  4J100BA15S ,  4J100BA20S ,  4J100BA40S ,  4J100BC03P ,  4J100BC04S ,  4J100BC07P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R ,  4J100BC55S ,  4J100BC59P ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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