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J-GLOBAL ID:200903052175362733

複合配線基板、フレキシブル基板、半導体装置、および複合配線基板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須山 佐一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997345626
Publication number (International publication number):1999054927
Application date: Dec. 15, 1997
Publication date: Feb. 26, 1999
Summary:
【要約】【課題】 集積度が極めて高い半導体素子の搭載に対応でき、小型、薄型でかつ信頼性の高い配線基板を提供する。【解決手段】 リジッドな第1の絶縁層21の第1の面に配設された配線層11のビアランド11aと、フレキシブルな第2の絶縁層22の第2の面に配設された配線層14のビアランド14aとを、第1の絶縁層21と第2の絶縁層22との間に挟持された第3の絶縁層23と、ビアランド11aとビアランド14aとを接続するように第3の絶縁層23を貫通して配設された導電性ピラーにより電気的および機械的に接続する。
Claim (excerpt):
第1の面と第2の面とを有する第1の基板と、第1の面と第2の面とを有する第2の基板と、前記第1の基板の前記第1の面と前記第2の基板の前記第2の面とに挟持された絶縁性樹脂層と、前記第1の基板の前記第1の面に前記絶縁性樹脂層側に突出して配設された第1のビアランドを有する第1の配線層と、前記第2の基板の前記第2の面に前記絶縁性樹脂層側に突出して配設された第2のビアランドを有する第2の配線層と、前記絶縁性樹脂層を貫通して前記第1のビアランドと前記第2のビアランドとを接続するように配設された導電性ピラーとを具備したことを特徴とする複合配線基板。
IPC (2):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (5):
H05K 3/46 L ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 T ,  H01L 23/12 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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