レジスト膜用剥離液

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：朝日奈宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996131744
Publication number (International publication number)：1997319098
Application date： May. 27, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】イリジウムおよびイリジウム化合物を電極材料とし、PZTなどの強誘電体材料からなる薄膜のエッチング後に、レジストからなる側壁保護堆積膜の剥離を容易ならしめるとともに、さらにPZTなどの強誘電体材料からなる薄膜を利用した半導体素子が配線材料などの腐食されやすい材料を有するばあいでも配線材料を腐食しない剥離液を提供する。【解決手段】 (A)水酸化アンモニウム、第4級アンモニウム水酸化物およびアルカノールアミンよりなる群から選ばれた少なくとも1種と(B)水と、必要に応じてさらに(C)糖アルコール、キレート剤および有機溶剤よりなる群から選ばれた少なくとも1種とからなるレジスト膜用剥離液。

Claim (excerpt)：

イリジウムとイリジウム化合物からなる下部電極、強誘電体材料からなる薄膜およびイリジウムとイリジウム化合物からなる上部電極からなるキャパシタの製造工程における、該強誘電体材料からなる薄膜をドライエッチングしたのちの該薄膜の側壁に残存しているレジストからなる側壁保護堆積膜の剥離液であって、(A)水酸化アンモニウム、第4級アンモニウム水酸化物およびアルカノールアミンよりなる群から選ばれた少なくとも1種と(B)水からなるレジスト膜用剥離液。

IPC (7)：

G03F 7/42 , C11D 7/06 , C11D 7/26 , C11D 7/32 , C11D 7/50 , H01L 21/027 , H01L 21/308

FI (7)：

G03F 7/42 , C11D 7/06 , C11D 7/26 , C11D 7/32 , C11D 7/50 , H01L 21/308 E , H01L 21/30 572 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

レジスト用剥離液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220410 Applicant：関東化学株式会社
ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-105186 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-193940 Applicant：イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレイテッド

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