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J-GLOBAL ID：200903052524622390

ケイ素微粒子の製造方法

Inventor： 遠藤 忍
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (6)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005304751
Publication number (International publication number)：2007112656
Application date： Oct. 19, 2005
Publication date： May. 10, 2007
Summary：

【課題】 簡易なケイ素微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】 (イ)不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を加熱焼成する工程と、(ロ)上記不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷固化してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、(ハ)上記混合粉体からケイ素微粒子を抽出する工程と、を備えることを特徴とするケイ素微粒子の製造方法。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を加熱焼成する工程と、 前記不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷固化してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、 前記混合粉体からケイ素微粒子を抽出する工程と、 を備えることを特徴とするケイ素微粒子の製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/027

FI (1)：

C01B33/027

F-Term (14)：

4G072AA01 ,  4G072BB05 ,  4G072BB20 ,  4G072GG01 ,  4G072HH29 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL03 ,  4G072MM04 ,  4G072MM36 ,  4G072MM40 ,  4G072RR01 ,  4G072RR11 ,  4G072RR13 ,  4G072UU30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• シリコン超微粒子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-071423   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (3)

• 高純度微細シリコン粒子の製造方法及び高純度微細シリコン粒子を用いた高純度多結晶シリコンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316348   Applicant：東燃化学株式会社, 東亞合成化学工業株式会社
• シリカのシラノール基含有率が低いシリカ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-265908   Applicant：ワツカー-ケミーゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 炭化ケイ素およびシリコンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-198434   Applicant：新日本製鐵株式会社