強誘電体メモリ装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001043806
Publication number (International publication number)：2002246563
Application date： Feb. 20, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】強誘電体からなる容量絶縁膜を持つ容量素子の形成時であって、特にCMP法により下部電極を形成する際に所定形状の下部電極を確実に得られるようにする。【解決手段】半導体基板11上に形成され、それぞれが、下部電極15と、該下部電極15の上に形成された強誘電体からなる容量絶縁膜17と、該容量絶縁膜17の上に形成された上部電極18とにより構成された複数の容量素子30を備えている。各下部電極15は、それぞれの上面が埋込絶縁膜16によって該埋込絶縁膜16の上面と平坦化されるように埋め込まれ、且つ、各上面における任意の位置からそれぞれ最も近い端部までの距離が0.6μm以下となる平面形状を有している。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に形成され、それぞれが、下部電極と、該下部電極の上に形成された強誘電体からなる容量絶縁膜と、該容量絶縁膜の上に形成された上部電極とにより構成された複数の容量素子を備え、前記各下部電極は、それぞれの上面が埋込絶縁膜によって該埋込絶縁膜の上面と平坦化されるように埋め込まれ、且つ、各上面における任意の位置からそれぞれ最も近い端部までの距離が0.6μm以下となる平面形状を有していることを特徴とする強誘電体メモリ装置。

F-Term (14)：

5F083FR02 , 5F083GA09 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083ZA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-237948 Applicant：日本電気株式会社
キャパシタ及びキャパシタの形成方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-503297 Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.
半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-155094 Applicant：日本電気株式会社

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