半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997146263
Publication number (International publication number)：1998335700
Application date： Jun. 04, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】所定のインジウム組成を有する窒化ガリウム・インジウムについて、その結晶品質を低下させずにヘテロ構造を形成することのできる半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に窒化インジウム・ガリウムの層を含む複数の半導体層を積層させる際に、その窒化インジウム・ガリウム層よりも上の層の材料系を特定のものに限定し、あるいはその成長温度を所定の範囲に限定することにより、窒化インジウム・ガリウム層の熱的劣化や、界面の劣化を抑制して高品質な窒化ガリウム系半導体発光素子を成長することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に、インジウムを含有する第1の窒化ガリウム系化合物半導体からなる第1の層と、その上に積層される第2の層と、を含む窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、前記第1の層のバンド間遷移に基づく発光波長をナノメータの単位でx軸に、前第2の層の成長温度を°Cの単位でy軸に、それぞれプロットしたグラフ図において、xy座標が、それぞれ(366、600)、(366、1010)、(550、1010)、(650、600)、および(366、600)で表される各点をこの順序で結んで得られる領域の境界線上または内部に属する条件で前記第2の層を堆積する工程を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-015228 Applicant：住友化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-036250 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-029946 Applicant：シャープ株式会社

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