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J-GLOBAL ID：200903053168055929

薄膜形成方法

Inventor： 神力 博 ,  松本 賢治
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999066552
Publication number (International publication number)：2000260766
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 450°C以下の温度で、PZTのペロブスカイト結晶膜を均一に形成できるようにする。【解決手段】 反応器101内の真空度は、0.1Torrと低真空の状態とし、この状態で、Pb原料供給部105より、Pb(DPM)2が0.1モル濃度で溶解している酢酸ブチル溶液を、流量制御手段105aで所定流量に流量制御して気化器105bに供給し、酢酸ブチルとともに溶解しているPb(DPM)2を気化器105bで気化する。そして、これらにヘリウムガスを流量「250sccm」で添加してシャワーヘッド103に供給する。

Claim (excerpt)：

基体上に鉛とチタンからなる酸化物のペロブスカイト構造の結晶核を形成する第1の工程と、前記結晶核が形成された前記基板を所定温度とし、希釈ガスで希釈された鉛とジルコニウムとチタンの各有機金属原料のガスおよび酸化ガスを前記基板上に供給し、0.1Torr以上とした圧力下で、鉛とジルコニウムとチタンの酸化物からなるペロブスカイト結晶構造の強誘電体膜を前記基板上に形成する第2の工程とを備えたことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (11)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

F-Term (55)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030EA03 ,  4K030JA09 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AG27 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045EC07 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045EG08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• CVD薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-330674   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 金属酸化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-229277   Applicant：株式会社東芝
• 成膜方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-130260   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 液体原料CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329739   Applicant：株式会社サムコインターナショナル研究所
• 酸化物系誘電体薄膜用CVD原料およびメモリー用キャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-184904   Applicant：三菱電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Control of Orientation of Pb(Zr, Ti)O3 Thin Films Using PbTiO3 Buffer Layer