窒化物半導体素子及びこの窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐野静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001202496
Publication number (International publication number)：2003017791
Application date： Jul. 03, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】共振器端面が平坦になるように分割されて成る窒化物半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】GaNl系基板250上にLD構造251が構成されるとき、LD構造251の表面上からダイヤモンド刃で罫書きされて、劈開導入溝252が設けられる。この劈開導入溝252は、ウェハの<1-100>方向に対して平行に設けられるストライプ状光導波路253間毎に設けられ、ウェハ<11-20>方向に対して破線状に設けられる。

Claim (excerpt)：

III族元素と窒素を含む化合物で構成される窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に堆積されたIII族元素と窒素を含む化合物で構成される窒化物半導体層と、該窒化物半導体層内に形成されたストライプ状光導波路とを有し、前記窒化物半導体層を劈開した端面と前記ストライプ状光導波路とで共振器を構成する窒化物半導体素子において、前記端面に対して、前記ストライプ状光導波路の直上以外の位置に、前記窒化物半導体層の表面側から形成される劈開導入溝を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/02 , H01S 5/323

FI (2)：

H01S 5/02 , H01S 5/323

F-Term (8)：

5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA32 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体基板および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-145199 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置製造用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-055272 Applicant：ソニー株式会社
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-209940 Applicant：松下電器産業株式会社

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