半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置製造用基板

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998055272
Publication number (International publication number)：1999251265
Application date： Mar. 06, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板上に積層された半導体層に劈開面からなる端面を形成し、この際、劈開性が無いか、劈開が困難か、または、半導体層と異なる劈開方位を有する基板を用いた場合や、半導体装置の寸法を1mm以下と小さくしたい場合であっても、半導体層に良好な劈開面を制御性良く安定に形成することができる半導体装置およびその製造方法、ならびに、そのような半導体装置を製造するのに用いられる半導体装置製造用基板を提供する。【解決手段】サファイア基板1上にレーザ構造を構成するIII-V族化合物半導体からなる半導体層2を積層する。共振器端面3を形成すべき部分における半導体層2のうち、リッジストライプ部11およびメサ部12に対応する部分以外の部分、具体的には、メサ部12に対応する部分の両側の部分に、半導体層2の(11-20)面と平行な方向に延在するストライプ状の劈開補助溝4を形成し、劈開補助溝4から半導体層2およびサファイア基板1を劈開し、半導体層2に劈開面からなる共振器端面3を得る。

Claim (excerpt)：

基板上に劈開性を有する半導体層が積層され、上記半導体層は劈開面からなる端面を有する半導体装置において、上記半導体層の上記端面は、上記基板上に上記半導体層を積層した後、上記端面を形成すべき部分における上記半導体層のうち、上記端面の主要部となる部分以外の部分の少なくとも一部に劈開補助溝を形成し、この劈開補助溝から上記半導体層および上記基板を劈開することにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/301 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/78 U , H01L 33/00 C , H01S 3/18 , H01L 21/78 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平4-262589
窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-022848 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-128627 Applicant：三菱電機株式会社

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