半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：深見久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002038263
Publication number (International publication number)：2003243702
Application date： Feb. 15, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、シリコン基板1と、シリコン基板1の主面上に形成された一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z==1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層と、シリコン基板1の主面から62度の傾斜した面もしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝6と、シリコン基板1の主面上に化合物半導体層2を転位が貫通するのを防ぐためのマスク19とを備える。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板に形成され、前記シリコン基板の主面より62度傾斜した面かもしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝と、前記斜面上に形成され、(1-101)ファセット面を成長面とする窒化物半導体層と、前記シリコン基板上に選択的に形成され、前記窒化物半導体層の成長を抑制する成長抑制層と、前記窒化物半導体層の前記成長面に向かって転位が延びることを抑制する転位抑制層と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (20)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CB11 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045DA53 , 5F045DB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-201092 Applicant：澤木宣彦, シャープ株式会社
半導体素子およびその製造方法ならびに半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-112821 Applicant：澤木宣彦, シャープ株式会社
半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-240413 Applicant：澤木宣彦, シャープ株式会社

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