窒化物系半導体発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮園博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002145793
Publication number (International publication number)：2003046127
Application date： May. 21, 2002
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】低い駆動電圧で均一な発光を得ることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板1上に形成されたn型コンタクト層4と、n型コンタクト層4上に形成され、窒化物系半導体(GaNおよびGa0.65In0.35N)からなるMQW発光層5と、MQW発光層5上に形成され、窒化ガリウムよりもバンドギャップの小さい窒化物系半導体層(Ga0.85In0.15N)からなるp型コンタクト層9と、p型コンタクト層9上に形成され、透光性を有するp側電極10とを備える。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1導電型の第1窒化物系半導体層と、前記第1窒化物系半導体層上に形成され、窒化物系半導体からなる発光層と、前記発光層上に形成され、窒化ガリウムよりもバンドギャップの小さい窒化物系半導体層を含む第2導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成され、透光性を有する電極とを備えた、窒化物系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 B

F-Term (16)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB07 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104GG04 , 4M104HH15 , 5F041AA05 , 5F041AA24 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA99

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-233179 Applicant：ローム株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-302447 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-132269 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Return to Previous Page