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J-GLOBAL ID：200903023986980178

窒化物系半導体装置及びその製造方法

Inventor： 李 溶培 ,  酒井 士郎
Applicant, Patent owner： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002333403
Publication number (International publication number)：2004172189
Application date： Nov. 18, 2002
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】窒化物系半導体装置において、所望の領域に絶縁領域を形成する。【解決手段】窒化物系LEDは、基板10上に順次n型窒化物層12,14,発光層16,p型窒化物層18,p型透明電極22,p型パッド24,n型電極26を形成することで構成される。p型窒化物層18の表面のうち、p型パッド24直下の領域をプラズマ処理することで抵抗領域20を形成する。p型パッド24から注入された電流は抵抗領域20を迂回するようにpn接合領域に流れ、発光層16から放出された光はp型パッド24に遮蔽されることなく透明電極22を介して外部に放出される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物系半導体層及び電極を形成してなる窒化物系半導体装置であって、 前記窒化物系半導体層の前記電極と接する面に、プラズマ曝露により形成された抵抗領域を有することを特徴とする窒化物系半導体装置。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (12)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081948   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-014390   Applicant：星和電機株式会社
• 半導体発光素子用の電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-236117   Applicant：昭和電工株式会社
• 無整流子電動機の制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-187534   Applicant：株式会社富士通ゼネラル
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-059153   Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-195506   Applicant：星和電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Dry etch damage in InN, InGaN, and InAlN
• High Density Plasma-Induced Etch Damage in GaN