窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997107290
Publication number (International publication number)：1998303502
Application date： Apr. 24, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来のような絶縁膜の形成及び再成長技術を必要としない。【解決手段】ドライエッチングにより、エッチングすると同時にP型窒化ガリウム系化合物半導体膜を改質して、非オーミック性又はエッチングに晒されない領域よりも高抵抗にする。

Claim (excerpt)：

導電性又は非導電性の基板上に、少なくともN型窒化ガリウム系化合物半導体層とP型窒化ガリウム系化合物半導体層とが順次積層された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記P型窒化ガリウム系化合物半導体層表面が電流注入領域と非電流注入領域とからなり、前記非電流注入領域が非オーミック性であるかまたは前記電流注入領域よりも高抵抗であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-081948 Applicant：豊田合成株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-067632 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体の結晶成長方法およびレーザ素子の共振面の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-083446 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (10)

半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-081948 Applicant：豊田合成株式会社
窒化物半導体レーザ素子
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