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J-GLOBAL ID：200903044904377492

分子線エピタキシを利用したバッファ層の成長方法

Inventor：
フーパー, スチュアート エドワード

About フーパー, スチュアート エドワード


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000521264
Publication number (International publication number)：2001523633
Application date： Nov. 13, 1998
Publication date： Nov. 27, 2001
Summary：
【要約】第III-V族の窒化物バッファ層を、異なる材料で形成された基板上に分子線エピタキシによって成長させ、基板の材料と基板上に成長させる更なる層の材料との格子不整合を補償する方法が提供される。この方法は、エピタキシャル成長に適した減圧下で、上昇した温度で、真空チャンバ内に基板を配置する工程と、基板に窒素を供給する窒素前駆体種を含む、エピタキシャル成長において用いられる種を、真空チャンバに供給して、基板上でのバッファ層のエピタキシャル成長を引き起こす工程とを含む。上昇した温度は、300°C〜800°Cの範囲内であり、基板への窒素の供給速度は、基板上に、2000Å未満の均一な厚みを有する第III-V族の窒化物バッファ層のエピタキシャル成長を、2〜10μm/時間の範囲の成長速度で引き起こすような供給速度である。
Claim (excerpt)：
第III-V族窒化物バッファ層を、異なる材料で形成された基板上に分子線エピタキシによって成長させ、該基板の材料と該基板上に成長させる更なる層の材料との格子不整合を補償する方法であって、 エピタキシャル成長に適した減圧下で、上昇した温度で、真空チャンバ内に該基板を配置する工程と、 該基板に窒素を供給する窒素前駆体種を含む、該エピタキシャル成長において用いられる種を、該真空チャンバに供給して、該基板上での該バッファ層のエピタキシャル成長を引き起こす工程と、 を含み、 該上昇した温度が、300°C〜800°Cの範囲内であり、該基板への窒素の供給速度が、該基板上に、2000Å未満の均一な厚みを有する該第III-V族窒化物バッファ層のエピタキシャル成長を、2〜10μm/時間の範囲の成長速度で引き起こすような供給速度である、方法。
IPC (3)：
C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203
FI (3)：
C30B 23/08 M ,  C30B 29/40 502 K ,  H01L 21/203 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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