キャパシタ及び半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001018132
Publication number (International publication number)：2002222925
Application date： Jan. 26, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】耐電圧の低下を招くことなく、静電容量の向上を図ることができるキャパシタ及びそのキャパシタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】基板10上に形成された第1の導電膜12と、第1の導電膜上に形成された第1の誘電体膜14と、第1の誘電体膜上に形成された第2の導電膜18と、第2の導電膜上に、第2の導電膜の縁部を覆うように形成された第2の誘電体膜22と、第2の誘電体膜上に、第2の導電膜の縁部を覆う第2の誘電体膜の部分を覆うように形成された第3の導電膜34とを有するキャパシタであって、第2の導電膜の縁部、又は、第2の誘電体膜の部分を覆う絶縁膜28を更に有している。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に形成された第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜上に形成された第2の導電膜と、前記第2の導電膜上に、前記第2の導電膜の縁部を覆うように形成された第2の誘電体膜と、前記第2の誘電体膜上に、前記第2の導電膜の前記縁部を覆う前記第2の誘電体膜の部分を覆うように形成された第3の導電膜とを有するキャパシタであって、前記第2の導電膜の前記縁部、又は、前記第2の誘電体膜の前記部分を覆う絶縁膜を更に有することを特徴とするキャパシタ。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01G 4/33

FI (2)：

H01L 27/04 C , H01G 4/06 102

F-Term (24)：

5E082AB03 , 5E082BB02 , 5E082BC38 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082GG01 , 5E082HH25 , 5E082HH47 , 5E082JJ03 , 5E082JJ15 , 5E082KK01 , 5F038AC04 , 5F038AC05 , 5F038AC14 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038BE07 , 5F038BH03 , 5F038BH19 , 5F038CA10 , 5F038CD02 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235155 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-047862
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-243595 Applicant：株式会社東芝

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