Pat

J-GLOBAL ID：200903032717528144

光記録保護膜形成用高強度スパッタリングターゲット

Inventor： 姜 仁鎬 ,  森 暁 ,  真島 宗位 ,  小田 淳一
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999021285
Publication number (International publication number)：2000219962
Application date： Jan. 29, 1999
Publication date： Aug. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 レーザーを用いて情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形成するための、カルコゲン化亜鉛-二酸化ケイ素焼結体からなる高出力スパッタリング中に割れが発生することのない光記録保護膜形成用高強度スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 カルコゲン化亜鉛素地中に、比表面積が5越え〜10m2 /gの範囲内にある二酸化ケイ素の粉砕粉末が均一分散している組織を有する。

Claim (excerpt)：

カルコゲン化亜鉛素地中に、比表面積が5越え〜10m2 /gの範囲内にある二酸化ケイ素の粉砕粉末が均一分散している組織を有することを特徴とする光記録保護膜形成用高強度スパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/547 ,  C23C 14/06 ,  G11B 7/26 531

FI (4)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/06 D ,  G11B 7/26 531 ,  C04B 35/00 T

F-Term (17)：

4G030AA37 ,  4G030AA56 ,  4G030BA01 ,  4G030BA20 ,  4G030GA11 ,  4G030GA24 ,  4G030GA29 ,  4K029BA46 ,  4K029BA51 ,  4K029BC07 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE11 ,  5D121EE14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 光記録保護膜用スパッタリング・ターゲットおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-241148   Applicant：同和鉱業株式会社
• 硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-145214   Applicant：三井金属鉱業株式会社
• 相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料およびその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-187266   Applicant：同和鉱業株式会社
• 光記録膜用保護膜のための焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-083794   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• ZnS-SiO2系焼結体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-222181   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-276351   Applicant：株式会社ジャパンエナジー
• 光記録保護膜用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-166901   Applicant：東ソー株式会社