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J-GLOBAL ID：200903054269232089

微細パターンの形成のための装置及び方法

Inventor： 畠山 雅規 ,  一木 克則 ,  佐竹 徹 ,  畑村 洋太郎 ,  中尾 政之
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所 ,  畑村 洋太郎
Agent (1)： 渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998136153
Publication number (International publication number)：1999317346
Application date： Apr. 30, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光の波長以下のサイズの微細パターンを有する半導体LSIを簡単に且つ低コストで量産可能な製造方法、及び光の波長以下のサイズの微小領域の情報を読み書き可能な光磁気ディスク装置のヘッド及び記録媒体を提供する。【解決手段】 光の波長以下の微細サイズのパターンを備えたマスク12を用いて、エバネッセント場17を利用した露光を行うことにより、マスクのパターンを半導体ウエハ15に塗布したレジスト16に転写する工程を含む。

Claim (excerpt)：

光の波長以下の微細サイズのパターンを備えたマスクを用いて、エバネッセント場を利用した露光を行うことにより、前記マスクのパターンを半導体ウエハに塗布したレジストに転写する工程を含むことを特徴とする半導体LSIの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 502 ,  G21K 5/02

FI (3)：

H01L 21/30 509 ,  G03F 7/20 502 ,  G21K 5/02 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-319781   Applicant：株式会社日立製作所
• 露光体およびこの露光体を用いた露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-005358   Applicant：株式会社ニコン
• 薄膜パターン製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-270458   Applicant：株式会社日立製作所
• 微細パタン形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-251252   Applicant：日本電信電話株式会社
• 超微細加工法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-043214   Applicant：株式会社荏原製作所