Pat
J-GLOBAL ID:200903054402907981
過フッ化アミド塩及びイオン伝導物質としてのその使用方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
社本 一夫 (外5名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1998529518
Publication number (International publication number):2000508678
Application date: Dec. 30, 1997
Publication date: Jul. 11, 2000
Summary:
【要約】本発明は、イオン化合物に関し、このイオン化合物においては、アニオン性の装填物が非局在化されている。本発明によって開示される化合物は、アミド又はその塩の一つを含んでおり、該アミド又は塩は、少なくとも1つのカチオン部分M+mと結合されたアニオン部分を全体的な電子的な中性を確保するに十分な数だけ含んでいる。化合物は、更に、ヒドロキソニウムとしてのM、ニトロソニウムNO+、アンモニウム-NH4+、イオン化mを有する金属カチオン、イオン化mを有する有機金属カチオン、あるいは、イオン化mを有する有機金属カチオンを含んでいる。アニオン部分は、組成式RF-SOx-N-Zに一致し、RFは、過フッ化基であり、xは、1又は2であり、Zは、電子吸引性の置換基である。化合物は、イオン伝導物質、電子伝導物質、着色剤、及び、種々の化学反応の触媒として使用することができる。
Claim (excerpt):
アミド又はその塩から成るイオン化合物であって、電子的な中性を与えるに十分な数の少なくとも1つのカチオン部分M+mに関連するアニオン部分を含み、Mは、ヒドロキソニウム(hydroxonium)、ニトロソニウムNO+、アンモニウム-NH4+、イオン価mを有する金属カチオン、イオン化mを有する有機カチオン、又は、イオン価mを有する有機金属カチオンであり、前記アニオン部分は、組成式RF-SOx-N--Zに対応し、 前記基-S(O)xは、スルホン酸基-SO2-又はスルフィニル基-SO-を表しており、 RFは、ハロゲン又は過ハロゲン化アルキル、アルキルアリール、オキサ-アルキル、アザ-アルキル又はチア-アルキルの遊離基、あるいは、組成式RACF2-、RACF2CF2-、RACF2CF(CF3)-、又は、CF3C(RA)F-の中の一つに相当する遊離基であり、 Zは、フェニル遊離基のハメット(Hammett)パラメータに少なくとも等しいハメットパラメータを有する電子吸引遊離基を表しており、 前記電子吸引遊離基は、以下の遊離基から選択され、 j) -CN、-NO2、-SCN、-N3、-CF3、R’FCH2-(R’Fは、過フッ化遊離基である)、フルオロアルキルオキシ遊離基、フルオロアルキルチオキシ遊離基、 jj) 水素、酸素、硫黄又はリンの原子を少なくとも一つ含む1又はそれ以上の芳香核を含む遊離基(前記核は、縮合核であるか及び/又は前記核は、少なくとも1つの置換基を有し、該置換基は、ハロゲン、-CN、-NO2、-SCN、-N3、-CF3、CF3CH2-、CF2=CF-O-、CF2=CF-S-、過フルオロアルキル基、フルオロアルキルオキシ基、フルオロアルキルチオキシ基、アルキル、アルケニル、オキサ-アルキル、オキサ-アルケニル、アザ-アルキル、アザ-アルケニル、チア-アルキル、チア-アルケニル遊離基、ポリマー遊離基、少なくとも1つのカチオン選択性基及び/又は少なくとも1つのアニオン選択性基から成る群から選択される)、 置換基Zは、-価遊離基、複数の基RF-S(O)x-N-を有する多価遊離基、あるいは、ポリマーセグメントとすることができ、 Zは、遊離基RD-Yであり、Yは、スルホニル、スルフィニル又はホスホニル基であり、また、RDは、以下の群から選択され、 (a) アルキル又はアルケニル遊離基、アリール、アリールアルキル、アルキルアリール又はアルケニルアリール遊離基、脂環式又は多環式遊離基を含む複素環式遊離基、 (b) エーテル、チオエーテル、アミン、イミン、カルボキシル、カルボニル、ヒドロキシ、シリル、イソシアネート又はチオイソシアネート基の少なくとも1つの官能基を含む、アルキル又はアルケニル遊離基、 (c) アリール、アリールアルキル、アリールアルケニル、アルキルアリール又はアルケニルアリール遊離基(芳香核及び/又は核の少なくとも1つの置換基は、窒素、酸素、硫黄の如きヘテロ原子を含む)、 (d) 窒素、酸素、硫黄から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を含む縮合型芳香族サイクルを含む遊離基、 (e) ハロゲン化されたアルキル、アルケニル、アリール、アリールアルキル、アルキルアリール又はアルケニルアリール遊離基(少なくとも1つのハロゲンを有する炭素原子の数は、ハロゲン化されていない炭素原子の数に少なくとも等しく、基Yのα位置の炭素は、Yが-SO2-である場合にはハロゲン化されておらず、前記遊離基は、エーテル、チオエーテル、アミン、イミン、カルボキシル、カルボニル、ヒドロキシ、シリル、イソシアネート又はチオイソシアネートの官能基を含む)、 (f) 遊離基RCC(R’)(R’’)-O-(RCは、過フッ化アルキル遊離基であり、R’及びR’’は、互いに独立している)、水素原子又は前記(a)、(b)、(c)、又は(d)に規定した遊離基、 (g) 遊離基(RB)2N-(同一又は異なるRBは、(a)、(b)、(c)、(d)及び(e)に規定したようなものであり、一方のRBは、水素原子とすることができ、あるいは、2つの遊離基RBは一緒に、Nを有するサイクルを形成する二価遊離基を形成する)、 (h) ポリマー鎖から成る遊離基、 (i) 1又はそれ以上のカチオン選択性基及び/又は1又はそれ以上のアニオン選択性基を有する遊離基、 置換基RDは、一価遊離基、複数の基RFS(O)x-N-Y-を有する多価遊離基の一部、又は、ポリマーのセグメントとすることができ、 Yがスルホニル又はカルボニルの場合には、RDは、(a)に規定したような遊離基であり、RFは、RACF2-、RACF2CF2-、RACF2CF(CF3)-、CF3C(RA)F-、あるいは、1乃至2の炭素原子を有する過ハロゲンアルキル遊離基である。
IPC (44):
C07C309/80
, B01J 31/02 103
, C07B 37/02
, C07B 37/12
, C07B 41/06
, C07C311/09
, C07C311/48
, C07D207/452
, C07D213/76
, C07D219/10
, C07D233/56
, C07D241/46
, C07D251/66
, C07D253/06
, C07D277/64
, C07D277/82
, C07D279/20
, C07D285/125
, C07D285/135
, C07D303/34
, C07D307/64
, C07D311/82
, C07D333/16
, C07D407/04
, C07D487/22
, C07F 7/18
, C07F 11/00
, C07F 15/00
, C07F 17/02
, C08F 2/48
, C08F 4/00
, C08F 4/60
, C08F 12/30
, C08F 16/14
, C08F228/02
, C08G 73/02
, C08G 75/14
, C08J 3/28
, C09B 57/00
, H01B 1/06
, H01M 4/58
, H01M 6/18
, H01M 10/40
, C07B 61/00 300
FI (44):
C07C309/80
, B01J 31/02 103 Z
, C07B 37/02
, C07B 37/12
, C07B 41/06 B
, C07C311/09
, C07C311/48
, C07D207/452
, C07D213/76
, C07D219/10
, C07D233/56
, C07D241/46
, C07D251/66
, C07D253/06 C
, C07D277/64
, C07D277/82
, C07D279/20
, C07D303/34
, C07D307/64
, C07D311/82
, C07D333/16
, C07D407/04
, C07D487/22
, C07F 7/18 Q
, C07F 11/00 A
, C07F 15/00 C
, C07F 17/02
, C08F 2/48
, C08F 4/00
, C08F 4/60
, C08F 12/30
, C08F 16/14
, C08F228/02
, C08G 73/02
, C08G 75/14
, C08J 3/28
, C09B 57/00 Z
, H01B 1/06 A
, H01M 4/58
, H01M 6/18 E
, H01M 10/40 B
, C07B 61/00 300
, C07D285/12 D
, C07D285/12 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
-
フッ素化合物系電解質塩及びこれを含む電解質組成物並びにこれらを含んで成るバッテリー
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-043410
Applicant:ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー
-
スルホンイミドの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-217532
Applicant:セントラル硝子株式会社
-
良好な耐食性を示すイオン性伝導材料
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平7-524436
Applicant:サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シャンティフィク, ハイドロ-ケベック
-
特表平6-509811
-
特開昭58-225045
-
特表平5-506540
-
特開昭53-149938
-
特表平1-501822
-
ビス(フェニルスルホニル)イミド、それらの製造法およびそれらを含んでいるイオン伝導性材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-336144
Applicant:エレクトリシテドフランス-セルヴィースナショナール
-
特表平5-503808
-
特表平6-503842
-
ペルフルオロアルコキシスルホン酸化合物の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-198905
Applicant:アウシモントソチエタペルアツィオーニ
Show all
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all
Return to Previous Page