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J-GLOBAL ID:200903054566772181
不均一反応を用いた無機被覆基材の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (3):
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 田中 順也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004238756
Publication number (International publication number):2006056733
Application date: Aug. 18, 2004
Publication date: Mar. 02, 2006
Summary:
【課題】 本発明の目的は、安全性が高く簡便で、経済的な手法で、ナノマテリアルを初めとする各種基材上に、無機化合物からなる無機被膜を形成する技術を提供することである。 【解決手段】 (i)基材、(ii)金属化合物、及び(iii)液状の5B族元素化合物若しくは6B族元素化合物を混合し、不均一反応系で反応させることによって、金属元素、及び5B族若しくは6B族元素からなる無機被膜により被覆された基材を製造する。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
金属元素、及び5B族若しくは6B族元素からなる無機被膜により被覆された基材を製造する方法であって、(i)基材、(ii)金属化合物、及び(iii)液状の5B族元素化合物若しくは6B族元素化合物を混合し、不均一反応系で反応させることを特徴とする、無機被覆基材の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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発光ナノ粒子およびそれらの調製方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2004-500316
Applicant:クァンタム・ドット・コーポレイション
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複合微細粒子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-264479
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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フッ化アルキル配位子を結合してなる半導体超微粒子、及びこれを含有する薄膜状成形体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-398865
Applicant:三菱化学株式会社
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ナノクリスタライトの調製
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-548750
Applicant:マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
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複合蛍光体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-120802
Applicant:凸版印刷株式会社
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電場発光蛍光体およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-081130
Applicant:株式会社東芝
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半導体微粒子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-287190
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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エタノール可溶性半導体超微粒子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-313367
Applicant:三菱化学株式会社
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半導体ナノ結晶の生物学的用途
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-571252
Applicant:マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
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