ヘテロ接合III-V族トランジスタ、特にHEMT電界効果トランジスタまたはヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部正夫 (外10名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001508505
Publication number (International publication number)：2003504851
Application date： Jun. 28, 2000
Publication date： Feb. 04, 2003
Summary：

【要約】本発明は、広い禁制帯の物質および狭い禁制帯の物質を有するIII-V族半導体物質を備えたヘテロ接合トランジスタに関する。狭い禁制帯の物質は、III族元素の1つとしてガリウムを、V族元素としてヒ素および窒素の双方を含むIII-V族化合物であり、窒素の含有量は約5%未満であり、狭い禁制帯の物質は少なくとも1つの第4のIIIまたはV族の元素を備える。前記第4の元素を追加することによって、へテロ接合の禁制帯の幅、伝導帯の不連続性ΔEc、および価電子帯の不連続性ΔEvを調整することが可能となる。本発明は、低い禁制帯を有し、従って高ドレイン電流を有するHEMT電界効果トランジスタを生成するのに有用である。また、本発明は、低いVBEを有し、従って低供給電圧によって機能することができるヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを生成するのに有用である。

Claim (excerpt)：

広い禁制帯を有する物質および狭い禁制帯を有する物質を有するIII-V族半導体物質を備えたヘテロ接合トランジスタにおいて: 前記狭い禁制帯を有する物質は、そのIII族元素の1つとしてガリウムを、V族元素としてヒ素および窒素の双方を含むIII-V族化合物であり、前記窒素の含有量は約5%未満であり; 前記狭い禁制帯の物質は少なくとも1つの第4のIIIまたはV族元素を有し; この第4の元素を追加することによって、前記へテロ接合の前記禁制帯の幅、伝導帯の不連続性ΔEc、および価電子帯の不連続性ΔEvを調整することが可能となることを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/201 , H01L 21/331 , H01L 21/338 , H01L 29/737 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (3)：

H01L 29/201 , H01L 29/72 H , H01L 29/80 H

F-Term (10)：

5F003BB04 , 5F003BE04 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BM03 , 5F102FA02 , 5F102GK05 , 5F102GL04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-085061 Applicant：古河電気工業株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-256361 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-219554 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

化合物半導体デバイス[1], 19840715, 初版, 第217-218頁

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