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J-GLOBAL ID：200903054953329733

シリコンナノ構造体の製造方法

Inventor：
孫 海林

About 孫 海林

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姜 開利

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李 群慶

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▲ハン▼ 守善

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Applicant, Patent owner：
ツィンファ ユニバーシティ

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鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

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Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009091139
Publication number (International publication number)：2009249279
Application date： Apr. 03, 2009
Publication date： Oct. 29, 2009
Summary：
【課題】本発明は、シリコンナノ構造体の製造方法に関する。【解決手段】本発明のシリコンナノ構造体の製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、触媒材料及び生長基板を提供し、該触媒材料及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガス及び水素ガスを導入し、該反応室を500°C〜1100°Cに加熱して、前記生長基板にシリコンナノ構造体を生長させる第三ステップと、を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、 触媒材料及び生長基板を提供し、該触媒材料及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、 前記反応室に珪素ガス及び水素ガスを導入し、該反応室を500°C〜1100°Cに加熱して、前記生長基板にシリコンナノ構造体を生長させる第三ステップと、 を含むことを特徴とするシリコンナノ構造体の製造方法。
IPC (5)：
C01B 33/027 ,  C01B 33/02 ,  B82B 3/00 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/205
FI (5)：
C01B33/027 ,  C01B33/02 Z ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 601N ,  H01L21/205
F-Term (35)：
4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072FF09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH03 ,  4G072HH07 ,  4G072JJ01 ,  4G072JJ09 ,  4G072LL01 ,  4G072LL02 ,  4G072LL03 ,  4G072NN24 ,  4G072RR04 ,  4G072RR11 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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