磁気記録素子及び磁気メモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006092230
Publication number (International publication number)：2007266498
Application date： Mar. 29, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：

【課題】熱揺らぎ耐性及びMR特性の劣化なく、磁化反転のためのスピン注入電流の電流密度を低減する。【解決手段】本発明の例に関わる磁気記録素子は、膜を通過する電流の向きに応じて磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層と、磁気記録層と磁気固着層との間の非磁性バリア層とを備える。磁気記録層は、飽和磁化Ms(emu/cc)と異方性磁界Han(Oe)との関係が、Han>12.57Ms、かつ、Han<1.2E7Ms-1+12.57Msを満たす。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

膜を通過する電流の向きに応じて磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層と、前記磁気記録層と前記磁気固着層との間の非磁性バリア層とを具備し、前記磁気記録層は、飽和磁化Ms(emu/cc)と異方性磁界Han(Oe)との関係が、Han>12.57Ms、かつ、Han<1.2E7Ms-1+12.57Msを満たすことを特徴とする磁気記録素子。

IPC (6)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 29/82 , H01F 10/16 , G11C 11/15

FI (7)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/08 H , H01L29/82 Z , H01F10/16 , G11C11/15 112

F-Term (58)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB13 , 4M119CC05 , 4M119DD04 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD08 , 4M119DD17 , 4M119DD22 , 4M119DD24 , 4M119DD25 , 4M119DD26 , 4M119DD27 , 4M119DD33 , 4M119DD36 , 4M119DD37 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119HH02 , 4M119HH05 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049BA08 , 5F092AA01 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AB10 , 5F092AC12 , 5F092AC24 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC04 , 5F092BC13 , 5F092BC22 , 5F092BC32 , 5F092BC33 , 5F092BC34 , 5F092BC39 , 5F092BC42 , 5F092CA07 , 5F092CA09 , 5F092CA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-320923 Applicant：ソニー株式会社
磁気セル及び磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-396201 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (4)

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-194513 Applicant：株式会社東芝
磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-544759 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-387331 Applicant：ソニー株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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