磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：逢坂宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003387331
Publication number (International publication number)：2005150482
Application date： Nov. 18, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：

【課題】記憶セルの面内サイズや膜厚の減少に依ることなしに、高い磁気抵抗変化率を保持しつつスピン注入磁化反転の効率を向上させ、反転電流及び反転電流密度を低減した磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置を提供すること。【解決手段】磁化自由層(記憶層)1と、この磁化自由層の両側に非磁性スペーサー層3、13によって磁気的に分離されてそれぞれ配置された第1のスピンフィルター層2及び第2のスピンフィルター層12とを有し、これらのスピンフィルター層の磁化方向が互いに逆向きに固定されているスピン注入磁化反転素子10からなる磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子がメモリセル部を構成しているMRAMからなる磁気メモリ装置。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁化自由層と、この磁化自由層の両側に磁気的に分離されてそれぞれ配置された第1磁性層及び第2磁性層とを有し、これらの磁性層の磁化方向が互いに逆向きに固定されている磁気抵抗効果素子。

IPC (2)：

H01L27/105 , H01L43/08

FI (2)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z

F-Term (9)：

5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-209468 Applicant：アルプス電気株式会社
磁気ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、磁気記録再生装置及び磁性メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-083869 Applicant：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-203783 Applicant：株式会社東芝

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