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J-GLOBAL ID：200903016401085300

無機化合物固体の形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法

Inventor：
中村 孝

About 中村 孝

, 
藤森 敬和

About 藤森 敬和


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998370807
Publication number (International publication number)：2000191324
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】金属元素を含む有機化合物材料を用いて、比較的低温の熱処理により良好な無機化合物固体(強誘電体膜など)を形成する。【解決手段】強誘電体膜の形成に際し、金属元素を含む有機化合物材料の溶液が半導体基板に塗布される(S41)。これを乾燥し(S42)、さらに仮焼成する(S43)。この工程を所定膜厚となるまで繰り返した後、有機物除去処理を行う(S45)。有機物除去処理は、たとえば、減圧雰囲気中(約50Torr)における加熱処理(約550°C)により行われる。有機物除去処理により得られた無機化合物材料に対して本焼成を行う(S46)。本焼成は、たとえば、約550°Cの温度で行われ、これにより、無機化合物材料が結晶化する。【効果】低温の熱処理で強誘電体膜を形成することができるので、膜間における材料の相互拡散や、半導体基板に形成された素子の特性が劣化しない。
Claim (excerpt)：
金属元素を含む有機化合物を焼成して、無機化合物固体を形成する方法であって、金属元素を含む有機化合物材料に熱以外の手段を用いた有機物除去処理を施して無機化合物材料とする有機物除去工程と、この有機物除去工程により得られる無機化合物材料を焼成して結晶化し、無機化合物固体を得る結晶化工程とを含むことを特徴とする無機化合物固体の形成方法。
IPC (9)：
C01G 23/00 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6)：
C01G 23/00 C ,  C01G 35/00 C ,  H01L 21/314 A ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
F-Term (30)：
4G047CA08 ,  4G047CA10 ,  4G047CB06 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE08 ,  5F001AA17 ,  5F001AG01 ,  5F001AG30 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA43 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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