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J-GLOBAL ID：200903055093652619

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 浅見 慎也 ,  小池 正好 ,  森 茂雄
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995353050
Publication number (International publication number)：1997186362
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】紫外線領域の発光強度を増加させること。【解決手段】p層61,62、n層4,3、p層とn層とに挟まれた発光層5を有し、各層が3族窒化物半導体から成る発光素子において、発光層5の厚さを1〜200nm とした。又、発光層5をGa0.92In0.08N とし、SiとZnを 1×1017〜 5×1018/cm3で添加した。380nm の発光強度は、発光層5の厚さが400nm の場合に比べて5倍に増加した。

Claim (excerpt)：

p層、n層、p層とn層とに挟まれた発光層を有し、各層が3族窒化物半導体から成る発光素子において、前記発光層には、ドナー不純物とアクセプタ不純物とが共に添加されており、前記発光層の厚さを1 〜200nm とし、出力される光をドナー不純物レベルと価電子帯、伝導帯とアクセプタ不純物レベル間、又は、伝導帯と価電子帯との間の電子の遷移による発光波長としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-070873   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079045   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314770   Applicant：旭化成工業株式会社
• 窒化物半導体発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-229080   Applicant：日亜化学工業株式会社