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J-GLOBAL ID：200903055093652619

3族窒化物半導体発光素子

Inventor：
浅見 慎也

About 浅見 慎也

, 
小池 正好

About 小池 正好

, 
森 茂雄

About 森 茂雄


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995353050
Publication number (International publication number)：1997186362
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】紫外線領域の発光強度を増加させること。【解決手段】p層61,62、n層4,3、p層とn層とに挟まれた発光層5を有し、各層が3族窒化物半導体から成る発光素子において、発光層5の厚さを1〜200nm とした。又、発光層5をGa0.92In0.08N とし、SiとZnを 1×1017〜 5×1018/cm3で添加した。380nm の発光強度は、発光層5の厚さが400nm の場合に比べて5倍に増加した。
Claim (excerpt)：
p層、n層、p層とn層とに挟まれた発光層を有し、各層が3族窒化物半導体から成る発光素子において、前記発光層には、ドナー不純物とアクセプタ不純物とが共に添加されており、前記発光層の厚さを1 〜200nm とし、出力される光をドナー不純物レベルと価電子帯、伝導帯とアクセプタ不純物レベル間、又は、伝導帯と価電子帯との間の電子の遷移による発光波長としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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