磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 磯山弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002226520
Publication number (International publication number)：2004071714
Application date： Aug. 02, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】熱処理による磁気抵抗変化率の劣化を抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】対の強磁性層(磁化固定層5と磁化自由層7)が中間層6を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、対の強磁性層5,7のうち少なくとも一方は、結晶化温度が623K以上である非晶質強磁性材料を含む磁気抵抗効果素子1及びこの磁気抵抗効果素子1と磁気抵抗効果素子1を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、上記対の強磁性層のうち少なくとも一方は、結晶化温度が623K以上である非晶質強磁性材料を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L43/08 , G11C11/15 , H01F10/13 , H01F10/32 , H01L27/105

FI (6)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , G11C11/15 110 , H01F10/13 , H01F10/32 , H01L27/10 447

F-Term (6)：

5E049AC01 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5F083FZ10 , 5F083LA12 , 5F083LA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-401185 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-028924 Applicant：大同特殊鋼株式会社
スピン依存伝導素子とそれを用いた電子部品および磁気部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-039343 Applicant：株式会社東芝

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