高密度ITO焼結体の製造方法および高密度ITO焼結体、並びにそれを用いたITOスパッタターゲット

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997140002
Publication number (International publication number)：1998072253
Application date： May. 29, 1997
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】インジウムと錫と酸素からなる粉末を成形して焼結させるITOスパッタタ-ゲットの製造方法において、スパッタタ-ゲットとしての特性に優れ、工業的に有用な焼結密度の高い緻密なITO焼結体、及びそれを原料として得られるITOスパッタターゲットを提供する。【解決手段】インジウムと錫と酸素からなる粉末を成形して焼結させる酸化インジウム-酸化錫焼結体の製造方法において、酸化インジウム-酸化錫粉末の密度とBET比表面積から求めたBET比表面積径が0.05μmを超え1μm以下の粉末を成形、又は酸化インジウム及び/又は酸化錫の粉末のそれぞれのBET比表面積径が0.05μmを超え1μm以下の粉末を混合して成形して、1450 ゚C以上1650 ゚C以下の範囲で焼結する酸化インジウム-酸化錫焼結体の製造方法、及び該製造方法により製造される酸化インジウム-酸化錫焼結体、並びにそれを原料として得られるITOスパッタターゲット。

Claim (excerpt)：

インジウムと錫と酸素からなる粉末を成形して焼結させる酸化インジウム-酸化錫焼結体の製造方法において、酸化インジウム-酸化錫粉末の密度とBET比表面積から求めた換算粒径(BET径)が0.05μmを超え1μm以下の粉末を成形し、1450 ゚C以上1650 ゚C以下の範囲で焼結することを特徴とする酸化インジウム-酸化錫焼結体の製造方法。

IPC (4)：

C04B 35/457 , C01G 19/00 , C23C 14/34 , C23C 14/08

FI (4)：

C04B 35/00 R , C01G 19/00 A , C23C 14/34 A , C23C 14/08 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ITO粉末、ITO焼結体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-330812 Applicant：東ソー株式会社
特開平4-154654
特開昭62-012009

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