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J-GLOBAL ID：200903055989874610

シリコン酸化膜の製造方法

Inventor： 石黒 英人 ,  グオフォ フェング ,  ロバート ロバートソン ,  山本 正彦
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社 ,  アプライドコマツテクノロジー株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199821
Publication number (International publication number)：1997050990
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低温プロセスを用いながら、緻密な膜質を有するシリコン酸化膜を、高い成膜速度で、大面積の基板上における膜厚の均一性を満足させながら形成することのできるシリコン酸化膜の製造方法を提供すること。【解決手段】 プラズマ化学気相堆積法を用い、シリコンを供給するための原料ガスとしてテトラエトキシシランを用いるとともに、プラズマを発生させるための電極間距離を約13mm以下とした条件下でシリコン酸化物を形成する。また、反応室内を約650mTorrより低い圧力とした条件下でシリコン酸化物を形成する。

Claim (excerpt)：

プラズマ化学気相堆積法を用いたシリコン酸化膜の製造方法であって、シリコンを供給するための原料ガスとしてテトラエトキシシランを用いるとともに、プラズマを発生させるための電極間距離を約13mm以下とした条件下でシリコン酸化物を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316

FI (5)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 絶縁膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-177193   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• プラズマCVD装置およびプラズマCVD方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-192215   Applicant：松下電器産業株式会社
• 化学気相成長法および位相シフトマスクブランクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-330799   Applicant：ホーヤ株式会社
• 特開平3-222422
  
• 特開平4-049620
  
• 平行平板型気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269608   Applicant：三菱電機株式会社