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J-GLOBAL ID：200903056190699715

半導体装置

Inventor： 関谷 洋紀 ,  大部 利春 ,  田多 伸光 ,  萩原 敬三 ,  平本 裕行
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (7)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004017203
Publication number (International publication number)：2005210006
Application date： Jan. 26, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】 優れた電気的特性、耐久性、信頼性を持つ半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子106が配置されるマウント用導電体15と、放熱体12との間を、シート状放熱絶縁体14により接続し、前記マウント用導電体15の端部に接して絶縁樹脂16を配置する。これにより高い放熱性と優れた電気的特性を両立し得る。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体素子が配置されるマウント手段と、前記半導体素子の熱を前記マウント手段から放熱するための放熱手段と、前記マウント手段と前記放熱手段とを接続するシート状放熱絶縁手段と、前記マウント手段の端部に接した樹脂絶縁手段と を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L23/34 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18

FI (2)：

H01L23/34 B ,  H01L25/04 Z

F-Term (6)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB21 ,  5F036BC23 ,  5F036BD21 ,  5F036BE01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-146896   Applicant：株式会社日立製作所
• 回路基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-290013   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体素子のパッケージおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-307608   Applicant：富士電機株式会社
• 回路基板、半導体装置及びこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-254375   Applicant：株式会社東芝