半導体素子のパッケージおよびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷義一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998307608
Publication number (International publication number)：2000183279
Application date： Oct. 28, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】従来の成形パッケージの製造方法におけるボンディングワイヤの倒れ、ボイドの発生、成形樹脂の収縮による反りを改良し、熱放散性を向上した成形パッケージおよびその製造方法の提供。【解決手段】成形パッケージの少なくとも一部に液状の熱硬化性樹脂を用い、絶縁層の厚さを保持する手段または絶縁層を形成するための隙間を確保する手段を伴って真空射出成形し成形パッケージを形成し、成形パッケージに形成したネジ取り付け穴を通してヒートシンクに取り付ける。

Claim (excerpt)：

一面が露出した金属板と、該金属板の他面上に形成された高熱伝導性で、かつ高電気抵抗性の絶縁層と、該絶縁層上に設けられた半導体チップが搭載されたリードフレームとを有し、少なくとも前記半導体チップおよび前記リードフレームを覆って常温で液体の熱硬化性樹脂の真空射出成形による熱硬化性樹脂層が形成されていることを特徴とする半導体素子のパッケージ。

IPC (4)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/56 , H01L 23/28

FI (3)：

H01L 25/04 C , H01L 21/56 T , H01L 23/28 E

F-Term (13)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109DB02 , 4M109DB03 , 4M109GA02 , 4M109GA05 , 5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061DA06 , 5F061FA02 , 5F061FA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-020907 Applicant：三菱電機株式会社
射出成形品の封止装置及び封止方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-160129 Applicant：三菱電機株式会社
液状樹脂の封止成形方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-088972 Applicant：東芝ケミカル株式会社

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